企业简介
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无锡友达电子有限公司的工商信息
- 913202147235488891
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- 在业
- 有限责任公司(台港澳与境内合资)
- 2000-10-25
- 高耿辉
- 300万美元
- 2000-10-25 至 永久
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 无锡国家高新技术产业开发区106-C地块
- 新型电子元器件生产;半导体分立器件、集成电路的设计、测试及制造;计算机辅助设计(CAD)、辅助测试(CAT)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
分支机构
无锡友达电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103986463B | 一种收音机PLL系统和载波锁相方法 | 2017.02.01 | 一种收音机PLL系统和载波锁相方法。本发明公开了一种收音机PLL系统,包含依次连接的振荡器模块、前置 |
2 | CN204792788U | 漏电保护电路 | 2015.11.18 | 本实用新型公开了一种漏电保护电路,包含:一个封装体、二个载片岛、一个漏电保护控制电路芯片及一个开关电 |
3 | CN204614774U | 多岛多芯片封装结构 | 2015.09.02 | 本实用新型公开了一种多岛多芯片封装结构,包含:封装体、多个载片岛及多个芯片;封装体上设置有多个引脚; |
4 | CN104617143A | 一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管,属于半导体器件的技术领域,包括:P型衬底、N型 |
5 | CN103037288B | 一种音频功放关机噗声抑制装置 | 2015.04.22 | 本发明公布了一种音频功放关机噗声抑制装置,包括音频功放电源脚和滤波脚,还包括一个用于检测所述音频功放 |
6 | CN103094104B | 采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺 | 2015.03.11 | 本发明公布了一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺,包括如下步骤,投料、氧化、磷埋层 |
7 | CN103036518B | 一种无传输失真的音量调节控制模块 | 2015.03.11 | 本发明公布了一种无传输失真的音量调节控制模块,包括运算放大器模块、电压转换电流电阻、音量受控单元、音 |
8 | CN104409454A | 一种NLDMOS防静电保护管 | 2015.03.11 | 本发明公开了一种NLDMOS防静电保护管,P型衬底材料片上设置有N型埋层,并生长有P型外延层,N型埋 |
9 | CN203840321U | 一种收音机PLL系统 | 2014.09.17 | 本实用新型公开了一种收音机PLL系统,包含依次连接的振荡器模块、前置分频器、可调分频器、后级分频器和 |
10 | CN103986463A | 一种收音机PLL系统和载波锁相方法 | 2014.08.13 | 一种收音机PLL系统和载波锁相方法。本发明公开了一种收音机PLL系统,包含依次连接的振荡器模块、前置 |
11 | CN103904123A | 一种有效减小导通电阻的薄栅氧N型LDMOS结构 | 2014.07.02 | 本发明公开了一种有效减小导通电阻的薄栅氧N型LDMOS结构,在漏端增加了一层较浅的N型注入层,因此漏 |
12 | CN102324833B | 低压工艺设计的电动车驱动器的专用集成电路 | 2014.01.08 | 本发明低压工艺设计的电动车驱动器的专用集成电路,其特征在于P2和N3组成达林顿管作为上管输出,P3和 |
13 | CN102332869B | 高集成度BTL音频功率放大器 | 2014.01.08 | 本发明公布了一种高集成度BTL音频功率放大器,包括4个放大器、2个跨导放大器以及第一至第九电阻、内部 |
14 | CN102315122B | 一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺 | 2013.08.28 | 本发明公布了一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺,所述方法包括锑埋一注入,退火;硼埋一注入 |
15 | CN203101447U | 一种用于交流市电测试系统的保护装置 | 2013.07.31 | 本实用新型公布了一种用于交流市电测试系统的保护装置,包括依次串接于交流市电的隔离变压器、自耦调压器、 |
16 | CN203104367U | 一种零待机延时的载波功率放大器 | 2013.07.31 | 本实用新型公布了一种零待机延时的载波功率放大器,包括待机控制单元和功率放大单元,所述待机控制单元包括 |
17 | CN102201791B | AB类音频功放功率保护装置 | 2013.06.05 | 本发明AB类音频功放功率保护装置,包含了输出管电流检测的铝线电阻,小电压转电流的微电流源回路,以及电 |
18 | CN103094104A | 采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺 | 2013.05.08 | 本发明公布了一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺,包括如下步骤,投料、氧化、磷埋层 |
19 | CN103037288A | 一种音频功放关机噗声抑制装置 | 2013.04.10 | 本发明公布了一种音频功放关机噗声抑制装置,包括音频功放电源脚和滤波脚,还包括一个用于检测所述音频功放 |
20 | CN103033654A | 一种用于交流市电测试系统的保护装置 | 2013.04.10 | 本发明公布了一种用于交流市电测试系统的保护装置,包括依次串接于交流市电的隔离变压器、自耦调压器、电参 |
21 | CN103036518A | 一种无传输失真的音量调节控制模块 | 2013.04.10 | 本发明公布了一种无传输失真的音量调节控制模块,包括运算放大器模块、电压转换电流电阻、音量受控单元、音 |
22 | CN202661914U | 一种集成电路温度保护电路 | 2013.01.09 | 本实用新型公布了一种集成电路温度保护电路,其包括感应温度的帯隙结构、比例电流源、以及用于过温保护的保 |
23 | CN202663358U | 一种实现零开机噪声的运算放大器电路 | 2013.01.09 | 本实用新型公布了一种实现零开机噪声的运算放大器电路,包括放大器和开机噪声控制电路,其特征在于:所述开 |
24 | CN102709900A | 一种输入级保护电路 | 2012.10.03 | 本发明公布了一种输入级保护电路,其包括NPN三极管Q1、N个二极管D1-DN和电阻R1;所述NPN三 |
25 | CN102332869A | 高集成度BTL音频功率放大器 | 2012.01.25 | 本发明公布了一种高集成度BTL音频功率放大器,集成了BTL应用所必须的结构,无需外围调试元件,本发明 |
26 | CN101360351B | 利用双跨导级联完成静音功能的低通集成电路 | 2012.01.18 | 利用双跨导级联完成静音功能的低通集成电路,主要应用于汽车音响、家用DVD、音频处理模块,带有双路混合 |
27 | CN102324833A | 低压工艺设计的电动车驱动器的专用集成电路 | 2012.01.18 | 本发明低压工艺设计的电动车驱动器的专用集成电路,其特征在于P2和N3组成达林顿管作为上管输出,P3和 |
28 | CN102315122A | 一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺 | 2012.01.11 | 本发明公布了一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺,所述方法包括锑埋一注入,退火;硼埋一注入 |
29 | CN101895254B | 桥接马达驱动电路及其自适应死区控制方法 | 2011.11.16 | 桥接马达驱动电路及其自适应死区控制方法主要是针对通用桥接输出类马达驱动电路中死区模块设计,目的是为了 |
30 | CN102201791A | AB类音频功放功率保护装置 | 2011.09.28 | 本发明AB类音频功放功率保护装置,包含了输出管电流检测的铝线电阻,小电压转电流的微电流源回路,以及电 |
31 | CN101895254A | 桥接马达驱动电路及其自适应死区控制方法 | 2010.11.24 | 桥接马达驱动电路及其自适应死区控制方法主要是针对通用桥接输出类马达驱动电路中死区模块设计,目的是为了 |
32 | CN101593707B | 用于大功率集成电路的封装方法 | 2010.10.27 | 一种用于大功率集成电路的封装方法采用金属底座嵌入金属基板的封装制作工艺,封装时,先将金属基板打一尺寸 |
33 | CN101345512B | 利用集电极穿透电流监测功率管结温进行过温保护的方法 | 2010.09.29 | 利用集电极穿透电流监测大功率管结温进行过温保护的方法,利用三极管的ICEO即漏电流随温度成2的次方形 |
34 | CN100578755C | 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺 | 2010.01.06 | 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺是一种在双极型纵向NPN管制作工艺中采用磷埋及深磷埋 |
35 | CN100578756C | 采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺 | 2010.01.06 | 采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺是一种用于制造兼容常规薄外延浅基区结的集成注入逻辑(I< |
36 | CN201369825Y | 单声道音频功放电路的引脚排列结构 | 2009.12.23 | 单声道音频功率放大器电路的引脚排列结构涉及音频功率放大、待机处理及保护模式的集成电路。电路正面缺口朝 |
37 | CN101593707A | 用于大功率集成电路的封装方法 | 2009.12.02 | 一种用于大功率集成电路的封装方法采用金属底座嵌入金属基板的封装制作工艺,封装时,先将金属基板打一尺寸 |
38 | CN201274573Y | 2.1通道音频输出集成电路引脚的排列结构 | 2009.07.15 | 2.1通道音频输出集成电路引脚的排列结构主要涉及音频类电路的静音处理、带宽调节及噪声抑制,该电路的左 |
39 | CN201243376Y | 5.1通道音频输出集成电路的引脚排列结构 | 2009.05.20 | 5.1通道音频输出集成电路的引脚排列结构涉及音频类电路的静音处理、带宽调节及噪声抑制的集成电路,该电 |
40 | CN100483686C | 采用磷埋工艺的双极型悬浮PNP管双外延制作方法 | 2009.04.29 | 采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP管双外延制作工艺中采用磷埋技术 |
41 | CN101360351A | 利用双跨导级联完成静音功能的低通集成电路 | 2009.02.04 | 利用双跨导级联完成静音功能的低通集成电路,主要应用于汽车音响、家用DVD、音频处理模块,带有双路混合 |
42 | CN101345512A | 利用集电极穿透电流监测功率管结温进行过温保护的方法 | 2009.01.14 | 利用集电极穿透电流监测大功率管结温进行过温保护的方法利用三极管的ICEO即漏电流随温度成2的次方形式 |
43 | CN101276784A | 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺 | 2008.10.01 | 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺是一种在双极型纵向NPN管制作工艺中采用磷埋及深磷埋 |
44 | CN101276785A | 采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺 | 2008.10.01 | 采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺是一种用于制造兼容常规薄外延浅基区结的集成注入逻辑(I< |
45 | CN101131960A | 采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺 | 2008.02.27 | 采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP管双外延制作工艺中采用磷埋技术 |
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